RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1913
1843
Kingston HP669238-071-HYC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link