RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3356
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link