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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
26
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
3356
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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