RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2003
2386
Kingston HP698651-154-MCN 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link