RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3026
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link