RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX316C10F/8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2585
2359
Kingston HX316C10F/8 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link