RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
3157
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link