RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
79
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
79
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1721
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link