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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
79
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
79
读取速度,GB/s
17.6
12.4
写入速度,GB/s
12.0
7.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1721
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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