RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
1997
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link