RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
1989
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link