RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Porównaj
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1820
3277
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link