RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2314
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link