RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3060
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link