RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3954
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link