Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 46

Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.4 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.6 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 21
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 21.4
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 3954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM