RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Porównaj
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1820
3010
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link