RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2236
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link