RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1847
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link