RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Kingston KF552C40-16 16GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Kingston KF552C40-16 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KF552C40-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3343
2524
Kingston KF552C40-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link