RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2633
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link