RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2424
2432
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link