RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Note globale
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
55
Autour de -129% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2424
2432
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link