RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
44
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2523
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link