RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
44
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2191
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link