RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
58
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
1998
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link