RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2875
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link