RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3341
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link