RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
13.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3341
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link