RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3341
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link