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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de 38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
40
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2875
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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