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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2875
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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