RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2288
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-173.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link