RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3650
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link