Porównanie pamięci RAM Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Wynik ogólny

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 38

Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.9 9.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 14200

Wokół strony 1.35 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2496 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns