Confronto tra le RAM Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Punteggio complessivo

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 38

Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.9 9.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 14200

Intorno 1.35 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2496 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns