RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2595
3564
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link