Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Wynik ogólny

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Wynik ogólny

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.5 14.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.1 7.6

Średnia wartość w badaniach

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Powody do rozważenia
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 37

Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

37 25
Prędkość odczytu, GB/s

15.5 14.7
Prędkość zapisu, GB/s

10.1 7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 21300

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2595 2169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB