RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link