RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link