RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
3601
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link