Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

总分
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

总分
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 35
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.5 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.7 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    16.2 left arrow 18.5
  • 写入速度,GB/s
    10.7 left arrow 15.7
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2726 left arrow 3601
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RAM 1
RAM 2

最新比较