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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,241.0
16.0
写入速度,GB/s
1,950.7
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3058
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
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