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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
12.8
写入速度,GB/s
870.4
10.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2583
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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