RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
3592
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link