Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.9 left arrow 11.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Wokół strony -5% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 40
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.9 left arrow 11.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1979 left arrow 1893
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania