RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1979
1893
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link