Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Por volta de -5% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 40
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.9 left arrow 11.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1979 left arrow 1893
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações