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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

总分
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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 7.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 42
    左右 -5% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 11.7
  • 写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 7.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1979 left arrow 1893

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB RAM的比较

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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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内存RAM
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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