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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1979
1893
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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