Porównanie pamięci RAM Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 60

Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 6.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 5.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 14900

Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1411 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns